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        無源器件的技術要求

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        范圍
        本標準規定了無源器件的技術要求,供中國移動和廠商共同使用。適用于為中國移動通信有限公司室分系統所提供的各類功分器、耦合器、電橋、合路器、衰減器和負載研發、生產、出廠驗收和入網測試的技術規定,其他同類產品也可遵照該規范的要求執行。
        1.?規范性引用文件
        下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本標準。
        2.?術語、定義和縮略語
        下列術語、定義和縮略語適用于本標準。
        2.1.?術語
        插入損耗 Insertion loss:通過無源器件,在有效工作帶寬內引入的傳輸損耗。
        中心頻率 Center frequency:無源器件的工作發射支路(或接收支路)允許工作頻率范圍內的中心稱為發射支路(或接收支路)的中心頻率。
        駐波比 VSWR:無源器件或有源器件中,除信源的輸入端(或輸出端)以外的其他端口與標稱阻抗負載相連接,信源的輸入端(或輸出端)電壓的波峰和波谷的比值
        帶內波動(紋波)Inband Ripple:輸出端口通帶范圍內最大信號和最小信號的差值。
        標稱阻抗 Impedance:RF 射頻無源及有源器件在工作范圍內各端口規定的電阻性阻抗。
        耦合度 Coupling degree:耦合支路與通路信號強度的差值。
        幅度平衡Amplitude Balance:等分定義端口之間的插入損耗的差值,用dB 表示。
        抑制度 Suppression:合路器的收發支路之間信號進入的抑制程度。
        最大輸入功率 Maximum input power:無源器件正常工作時輸入端口所允許的最大輸入平均功率。
        峰值輸入功率Peak-peak input power:無源器件正常工作時發射端口所允許的最大峰值輸入功率。
        2.2.?定義
        功分器(Power Distributer):將功率平均分配到各個分路上去的無源器件,具有一個輸入和兩個或多個輸出端口,用于分布系統鏈路分支時的節點連接。
        耦合器(Coupler):從射頻通路中通過耦合將一部分信號取出的無源器件,是帶有不同耦合衰減量值的分路器,用于分布系統延伸鏈路中接至覆蓋天線輸出節點的連接器件,該類器件的耦合度量值是由耦合出口接至天線輻射輸出的額定覆蓋功率電平所決定選擇。
        3dB電橋(3dB Hybrid):3dB電橋也叫同頻合路器,它能夠沿傳輸線路某一確定方向上對傳輸功率連續取樣,能將一個輸入信號分為兩個互為等幅且具有90°相位差的信號。主要用于多信號合路,提高輸出信號的利用率,廣泛應用室內覆蓋系統中對基站信號的合路,在這種場所運用效果很好。
        合路器(Combiner):把兩路或多路功率信號合并到單個通路上去的無源器件,具有兩個或多個輸入和一個輸出端口。
        衰減器(Attenuator):具有不同的衰減量值無源器件,用于分布系統延伸鏈路尾端與天線輻射輸出的額定覆蓋功率電平的適配。
        負載(Load):用于分布系統延伸鏈路中的分支節點或檢測點口的終接。
        2.3.?縮略語
        詞語???????? 解釋
        CW???????? continuous wave 連續波

         

         

         

         

         
        3.?技術要求
        3.1?電氣性能要求
        3.1.1 腔體功分器
        隨著現網對室分器件功率承受能力需求越來越大,很多場景下,微帶功分器已不能滿足要求,近年來業界用腔體功分器取代微帶功分器的趨勢也越來越明顯。所以本次企標中將室分無源器件的功分器全部定義為腔體功分器。
        根據分布系統的節點支路的要求,又分為腔體二功分器、腔體三功分器和腔體四功分器,其指標要求如表1所示:
        表1? 腔體功分器常溫電性能指標
        腔體功分器常溫電性能指標
        指標\規格?二功分器?三功分器?四功分器
        工作頻段?800-2500MHz
        總插入損耗(分配損耗+插入損耗)/dB?≤3.3?≤5.2?≤6.5
        輸入端口駐波比?≤1.25?≤1.25?≤1.3
        帶內波動(峰峰值)/dB? ?≤0.3?≤0.45?≤0.55
        輸入口
        反射互調抑制?單系統總功率36dBm及以上?三階?≤-140dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下
        (N型頭)?三階?≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量?單系統總功率36dBm及以上?均值
        功率?≥200W1
        (4×50W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        單系統總功率36dBm以下
        (N型頭)?均值
        功率?≥200W2
        (1×200W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        注:
        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;
        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。
        3.1.2 腔體定向耦合器
        隨著現網對室分器件功率承受能力需求越來越大,很多場景下,微帶器件已不能滿足要求,近年來業界用腔體耦合器取代微帶耦合器的趨勢也越來越明顯。所以本次企標中將室分無源器件的耦合器全部定義為腔體定向耦合器。

        表2耦合器常溫電性能指標
        耦合器常溫電性能指標
        指標\耦合度規格?5dB?6dB?7dB?10dB?15dB?20dB?30dB?40dB
        工作頻段?800-2500MHz
        總插入損耗(含分配損耗)/dB?2.15?1.76?1.47?0.96?0.44?0.34?0.3?0.3
        隔離度?≥23?≥24?≥25?≥28?≥33?≥38?≥48?≥55
        耦合度偏差/dB?±0.6?±0.6?±0.6?±1?±1?±1?±1?±1.5
        駐波比?1.25
        輸入口反射
        互調抑制?單系統總功率
        36dBm及以上?三階?≤-140dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率
        36dBm以下
        (N型頭)?三階?≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量?單系統總功率
        36dBm及以上?均值
        功率?≥200W1
        (4×50W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        單系統總功率
        36dBm以下
        (N型頭)?均值
        功率?≥200W2
        (1×200W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        注:
        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;
        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。
        3.1.3 腔體3dB電橋
        隨著現網對室分器件功率承受能力需求越來越大,很多場景下,微帶器件已不能滿足要求,近年來業界用腔體電橋取代微帶電橋的趨勢也越來越明顯。所以本次企標中將室分無源器件的3dB電橋全部定義為腔體3dB電橋。

        表3腔體3dB電橋常溫電性能指標
        腔體3dB電橋常溫電性能指標
        指標\規格?3dB電橋
        工作頻段?800-2500MHz
        插入損耗(含分配損耗)/dB ?≤3.5
        駐波比?≤1.3
        隔離度/dB?≥23
        帶內波動(峰峰值)/dB?≤0.5
        反射互調抑制?單系統總功率36dBm及以上?三階?≤-140dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭)?三階?≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量?單系統總功率36dBm及以上?均值功率?≥200W1
        (4×50W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭)?均值功率?≥200W2
        (1×200W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        注:
        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;
        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。
        3.1.4 合路器
        表4 合路器類型1-4
        合路器常溫電性能指標
        指標\規格?GSM/DCS合路器
        (雙路)?GSM/WLAN合路器
        (雙路)?GSM&DCS/WLAN合路器
        (雙路)?WLAN ch1/WLAN ch11合路器
        工作頻段?通路1:
        889-954MHz
        通路2:
        1710-1830MHz?通路1:
        889-954MHz
        通路2:
        2400-2483.5MHz?通路1:
        889-954MHz?? 1710-1830MHz
        通路2:
        2400-2483.5MHz?通路1:
        2401-?? 2423MHz
        通路2:
        2451-2473MHz
        插入損耗/dB ?≤0.6?≤0.6?≤0.6?≤1.2
        駐波比?≤1.3?≤1.3?≤1.3?≤1.3
        帶內波動(峰峰值)/dB?≤0.5?≤0.5?≤0.5?≤0.8
        帶外抑制/dB?通路1:≥80
        通路2:≥80?通路1:≥80
        通路2:≥80?通路1:≥80
        通路2:≥80?通路1:≥80
        通路2:≥80
        輸入端口反射互調抑制?單系統總功率36dBm及以上?三階?≤-140dBc(+43dBm×2)?不作要求
        五階?≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭)?三階?≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量?單系統總功率36dBm及以上?均值
        功率?≥200W1
        (4×50W EDGE載波,GSM900端口)?不作要求
        單系統總功率36dBm以下(N型頭)?均值
        功率?≥200W2
        (1×200W EDGE載波,GSM900端口)
        注:
        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;
        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。

        表5 合路器類型5-8
        合路器常溫電性能指標
        指標\規格?GSM&DCS/TD F&TD A&TD E合路器
        (雙路)?GSM/DCS/TD F&TD A&TD E合路器
        (三路)?GSM&DCS/TD F&TD A/TD E合路器
        (三路)?GSM&DCS&TD F&TD A&TD E/WLAN合路器
        (雙路)
        工作頻段?通路1:
        889-954MHz
        1710-1830MHz
        通路2:
        1880-2025MHz
        2300~2400MHz?通路1:
        889-954MHz
        通路2:
        1710-1830MHz
        通道3:
        1880-2025MHz
        2300~2400MHz?通路1:
        889-954MHz????? 1710-1830MHz
        通道2:
        1880-2025MHz
        通路3:
        2300-2400MHz?通路1:
        889-954MHz????? 1710-2025MHz
        2300-2380MHz
        通路2:
        2400-2500MHz
        插入損耗/dB ?≤0.6?≤0.6?≤0.8?≤0.6(889-2025MHz);
        ≤1.5(2300-2500MHz)

        駐波比?≤1.3?≤1.3?≤1.3?≤1.3
        帶內波動(峰峰值)/dB?≤0.5?≤0.5?≤0.5?≤0.5(889-2025MHz) ;?????? ≤1.2(2300-2500MHz)
        帶外抑制/dB?通路1:≥80
        通路2:≥80?通路1:≥80
        通路2:≥80?通路1:≥80
        通路2:≥80?通路1:≥80
        通路2:≥90(WLAN通路對其它頻段的抑制值)
        輸入端口反射互調抑制?單系統總功率36dBm及以上?三階?≤-140dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭)?三階?≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量?單系統總功率36dBm及以上?均值功率?≥200W1
        (4×50W EDGE載波,GSM900端口)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭)?均值功率?≥200W2
        (1×200W EDGE載波,GSM900端口)
        注:
        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;
        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。
        3.1.5 衰減器
        表6? 50W、100W、200W衰減器1
        衰減器常溫電性能指標
        功率等級?50W、100W、200W
        衰減度規格?3dB?6dB?10dB?15dB?20dB?30dB
        工作頻段?800-3000MHz
        衰減度誤差/dB?±0.4?±0.4?±0.6?±0.6?±0.8?±0.8
        帶內波動(峰峰值)/dB?≤0.3?≤0.5?≤0.7?≤0.8?≤1.0?≤1.0
        駐波比?≤1.2
        輸入口
        反射互調抑制?三階?≤-105dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-120dBc(+43dBm×2)
        功率容量?均值功率?50W、100W、200W2
        (1×標稱功率EDGE載波,GSM900頻段)
        注:
        1、?此類器件建議使用在對于互調指標要求不高的特殊場景下;
        2、?此類器件功率容量測試,采用:
        1×50W EDGE載波,均值功率為50W,峰值功率范圍為100W
        1×100W EDGE載波,均值功率為100W,峰值功率范圍為200W
        1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍為400W
        表7? 5W、25W衰減器
        衰減器常溫電性能指標
        功率等級?5W、25W
        衰減度規格?3dB?6dB?10dB?15dB?20dB?30dB
        工作頻段?800-3000MHz
        衰減度誤差/dB?±0.4?±0.4?±0.6?±0.6?±0.8?±0.8
        帶內波動(峰峰值)/dB?≤0.3?≤0.5?≤0.7?≤0.8?≤1.0?≤1.0
        駐波比?1.2
        反射互調?三階?≤-125dBc(+33dBm×2)
        五階?≤-145dBc(+33dBm×2)
        功率容量?均值功率?5W、25W1
        (1×標稱功率 EDGE載波,GSM900頻段)?
        注:
        1、此類器件建議使用在單系統總功率33dBm以下的應用場景,功率容量測試,采用:
        1×5W EDGE載波,均值功率為5W,峰值功率范圍為10W
        1×25W EDGE載波,均值功率為25W,峰值功率范圍為50W
        3.1.6 負載
        表8? 50W、100W、200W負載1
        負載常溫電性能指標
        功率規格?50W、100W、200W
        工作頻段?800-3000MHz
        特性阻抗/歐姆?50
        駐波比?1.2
        反射互調抑制?三階?≤-105dBc(+43dBm×2)
        五階?≤-120dBc(+43dBm×2)
        功率容量?均值功率?50W、100W、200W2
        (1×標稱功率 EDGE載波,GSM900頻段)
        注:
        1、?此類器件建議使用在對于互調指標要求不高的特殊場景下;
        2、?此類器件功率容量測試,采用:
        1×50W EDGE載波,均值功率為50W,峰值功率范圍為100W
        1×100W EDGE載波,均值功率為100W,峰值功率范圍為200W
        1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍為400W
        表9? 負載 5W/25W
        負載常溫電性能指標
        指標\功率規格?5W、25W
        工作頻段?800-3000MHz
        特性阻抗/歐姆?50
        駐波比?1.2
        反射互調?三階?≤-125dBc(+33dBm×2)
        五階?≤-145dBc(+33dBm×2)
        功率容量?均值功率?5W、25W1
        (1×標稱功率 EDGE載波,GSM900頻段)
        注:
        1、此類器件建議使用在單系統總功率33dBm以下的應用場景,功率容量測試,采用:
        1×5W EDGE載波,均值功率為5W,峰值功率范圍為10W
        1×25W EDGE載波,均值功率為25W,峰值功率范圍為50W
        3.2? 平均故障間隔時間(MTBF)
        室溫條件下MTBF應大于10萬小時。
        3.3? 機械要求
        提供的產品應采用經過老化測試和嚴格篩選的優質器件。硬件的組裝過程應有嚴格的質量控制,確保長期使用的高穩定性和高可靠性。
        3.4? 器件標簽要求
        器件外殼顯著位置必須具有標簽或銘牌,其上必須標明:廠家名稱、產品類別、產品型號、生產日期、規格(含工作頻段、耦合度、衰減器衰減值、單系統總功率36dBm及以上型/單系統總功率36dBm以下型)等。標簽或銘牌須考慮長期使用可靠性,不得損壞或脫落。
        單系統總功率36dBm及以上型器件,標簽采用黑底白字,并標明“單系統總功率36dBm以上型”字樣。
        單系統總功率36dBm以下器件,標簽采用白底黑字,并標明“單系統總功率36dBm以下型”字樣。
        負載和衰減器全部采用白底黑字標簽。
        合路器須在各輸入口除了標識頻段名稱(如:GSM)之外,還需要標明該端口通帶起止頻率(如:889-954MHz)。
        電橋須將IN和OUT口標識明顯,安裝、使用時不得損壞、脫落。
        模板實例如下(條目齊全即可,格式不限)。
        表10 標簽實例
        條目?舉例
        廠家名稱?×××
        產品類別?耦合器
        產品型號?×××-×××
        序列號?××××××
        生產日期?2011年×月
        規格?800-2500MHz
        30dB耦合
        單系統總功率36dBm及以上型
        3.5?工藝和材料要求
        注:
        1.合路器作為多系統信源合路的重要節點,除了對產品的性能指標有要求外,還對其長期可靠性和使用壽命有較高要求,因此各款合路器的工藝和材料要求均按高品質型統一要求。
        2. 衰減器和負載由于目前行業水平未具備實現高品質型產品的批量生產能力,也無法提出對應的工藝和材料要求,因此3.5.3節僅按目前業界最優方案對普通型產品進行要求。
        3.5.1? 腔體功分器、腔體定向耦合器、腔體電橋
        表11(單系統總功率36dBm以下型)腔體功分器、耦合器、腔體電橋工藝材料要求
        產品?材料?表面處理?工藝要求?接頭?其它
        腔體功分器?腔體、內導體采用金屬材質?內導體內表面需做表面處理(電鍍或者導電氧化)?表面光潔無毛刺?Female接頭外導體不可采用鋁材和鋅合金;
        內導體采用鈹青銅或磷青銅,需鍍銀。?—
        耦合器?內導體采用金屬材質;
        腔體與蓋板不可采用削切鋼材質(下圖為削切鋼材質,不可采用類似工藝設計)
        內導體內表面需做表面處理(電鍍或者導電氧化)?表面光潔無毛刺,結構件緊固連接??不可采用貼片電阻
        腔體
        電橋?內導體空氣導帶采用金屬材質;
        腔體、蓋板采用金屬材質。?內導體需做電鍍處理?表面光潔無毛刺,結構件緊固連接??結構要求:輸入端口在同側,輸出端口在同側

        表12(單系統總功率36dBm及以上型)腔體功分器、耦合器、腔體電橋工藝材料要求
        產品?材料?表面處理?工藝要求?接頭?其它
        腔體功分器?內導體采用黃銅或鋁合金;
        腔體采用鋁合金。?內導體與腔體內表面先鍍銅后鍍銀?表面光潔無毛刺,結構件緊固連接?Female接頭外導體采用黃銅,鍍三元合金;
        內導體采用鈹青銅或磷青銅,需鍍銀。?—
        耦合器?內導體采用黃銅或鋁合金;
        腔體采用鋁合金;
        蓋板采用鋁合金。?內導體與腔體內表面先鍍銅后鍍銀?表面光潔無毛刺,結構件緊固連接,焊點光亮整潔??大功率厚膜陶瓷電阻
        腔體電橋?內導體空氣導帶采用黃銅或鋁合金;
        腔體采用鋁合金;
        蓋板采用鋁合金。?內導體與腔體內表面先鍍銅后鍍銀?表面光潔無毛刺,結構件緊固連接,焊點光亮整潔??結構要求:輸入端口在同側,輸出端口在同側
        整體結構要求?1、?功分器、耦合器、電橋整體結構要求密閉性程度高,腔體整體無縫隙,內導體及腔體內表面不受空氣氧化;
        2、?接頭法蘭盤螺釘要求固定在腔體的同一結構件中(優選)1
        注:1、優選項作為推薦的優選方式,不作為硬性要求。
        3.5.2? 合路器
        表13(單系統總功率36dBm以下型)合路器工藝材料要求
        部件?材料?表面處理?工藝要求?備注
        腔體?腔體采用鋁合金 ?內導體內表面需做表面處理(電鍍或者導電氧化)?表面光潔無毛刺,無裂痕
        蓋板?蓋板采用鋁合金?內導體內表面需做表面處理(電鍍或者導電氧化)?表面光潔無毛刺,無裂痕
        諧振柱?諧振柱材料采用黃銅或鋁合金(如進行溫度補償采用其它材料需滿足可靠性及壽命要求)?表面先鍍銅后鍍銀?表面光潔無毛刺,與腔體連接穩固
        調諧桿?調諧桿采用黃銅?鍍銀?表面光潔無毛刺
        端口抽頭?連接導線采用黃銅?鍍銀?連接導線表面無光潔,整形彎曲規整,無亂搭
        接頭?如接頭為Female形式:外導體采用黃銅(接頭與合路器腔體一體化設計的情況除外);
        內導體采用鈹青銅或磷青銅?外導體鍍三元合金;
        內導體鍍銀?外導體受力穩固,內導體受力不轉動
        表14(單系統總功率36dBm及以上型)合路器工藝材料要求
        部件?材料?表面處理?工藝要求?備注
        腔體?腔體采用鋁合金 ?內表面先鍍銅后鍍銀?表面光潔無毛刺,無裂痕
        蓋板?蓋板采用鋁合金?內表面先鍍銅后鍍銀?表面光潔無毛刺,無裂痕
        諧振柱?諧振柱材料采用黃銅或鋁合金(優選)(如進行溫度補償采用其它材料需滿足可靠性及壽命要求)?表面先鍍銅后鍍銀?表面光潔無毛刺,與腔體連接穩固,與蓋板間距離>1.0mm(優選)1
        調諧桿?調諧桿采用黃銅?鍍銀?表面光潔無毛刺,與其它結構件間距離>3.0mm (優選)1
        端口抽頭?連接導線采用黃銅?鍍銀?連接導線表面無光潔,整形彎曲規整,無亂搭,與腔體表面間距離>1.5mm (優選)1
        接頭?如接頭為Female形式:外導體采用黃銅(接頭與合路器腔體一體化設計的情況除外);
        內導體采用鈹青銅或磷青銅?外導體鍍三元合金;
        內導體鍍銀?外導體受力穩固,內導體受力不轉動
        注:1、優選項作為推薦的優選方式,不作為硬性要求。
        3.5.3? 衰減器、負載
        表15衰減器、負載工藝材料要求
        部件?材料?表面處理?工藝要求?備注

        散熱器?鋁合金?如帶有散熱器,則需進行表面防腐處理,建議導電氧化?表面光潔無毛刺,結構件連接穩固
        內置安裝管?鋁合金?先鍍銅后鍍銀?結構件連接穩固,接地良好
        衰減片/吸收負載?氧化鈹?–?結構件連接穩固,散熱接地良好
        接頭?如接頭為Female形式:外導體采用黃銅;
        內導體采用鈹青銅或磷青銅?外導體鍍三元合金;
        內導體鍍銀?外導體受力穩固,內導體受力不轉動
        3.5.4? 簡易檢測方法(到貨檢測)
        項目?檢測方法
        材料?1、通過對內導體進行用砂紙進行摩擦,若粉末為黃色為黃銅,白色為鋁材或合金;
        2、PCB微帶板和腔體的設計方案可直接通過觀察判別。
        微帶電橋???????????????? 腔體電橋
        表面處理?1、銅材可以直接在表面進行鍍銀;
        2、鋁合金材質則需要先在表面進行鍍銅后才可以鍍銀處理;
        3、鍍銀表面呈銀白色,鍍銅表面呈黃色,不做任何電鍍處理的為金屬原色。
        工藝要求?1、表面工藝明顯毛刺點等可以通過觀察判斷,另可以選工藝優秀樣品做為基準對比;
        2、焊點光亮、整潔、無虛焊,無松香殘留。
        接頭?1、接頭外導體材質可以通過砂紙等進行摩擦,若粉末為黃色為黃銅,白色為鋁材或合金;
        2、內導體插拔次數滿足200次后,電氣性能指標依然合格。
        其它?1、?厚膜陶瓷電阻與貼片電阻有明顯區別,可以肉眼判斷。
        貼片電阻??????????????? 厚膜陶瓷電阻
        3.6? 環境試驗要求
        3.6.1 環境適應性要求
        環境條件
        工作溫度:-20~55 ℃
        工作濕度≤95%(溫度40℃±2℃)
        大氣壓力:70~106kPa
        儲存溫度:-55℃ to +85℃

        3.6.2 環境測試項
        常溫下的目檢及電性能測試正常的器件,進行環境測試。不同的器件在環境實驗時,進行不同電性能指標的測試,具體見下表:
        表16? 無源器件高低溫試驗檢測項目
        器件名稱?高低溫試驗檢測項目
        在線測試?中間測試?恢復常溫后測試
        腔體功分器?插損、駐波比?互調?外觀檢查
        腔體定向耦合器?插損、駐波比?互調?外觀檢查
        腔體3dB電橋?插損、駐波比?互調?外觀檢查
        合路器?插損、駐波比、帶內波動、帶外衰減?互調?外觀檢查
        衰減器?衰減誤差、駐波比?互調?外觀檢查
        負載?駐波比?互調?外觀檢查
        注:中間測試是指僅僅將單獨器件進行環境試驗,不連接測試系統,環境試驗完成后快速將器件取出,連接測試系統進行測試。

        表17? 無源器件振動試驗檢測項目
        器件名稱?完成振動后測試項目
        腔體功分器?外觀檢查、插損、駐波比、互調
        腔體定向耦合器?外觀檢查、插損、駐波比、互調
        腔體3dB電橋?外觀檢查、插損、駐波比、互調
        合路器?外觀檢查、插損、駐波比、帶內波動、帶外衰減、互調
        衰減器?外觀檢查、衰減誤差、駐波比、互調
        負載?外觀檢查、駐波比、互調

        3.6.2.1 高溫實驗
        試驗條件:+55℃
        測試要求:
        1)?須符合3.1節中各器件電性能要求
        2)恢復常溫后,取出,檢查器件外觀是否符合要求(外表面是否有變色或脫漆現象,此外若出現脆化、開裂、粘度增大和固化、機械強度降低、物理性收縮、絕緣損壞、密封失效等肉眼可識別的物理損壞也判定為不通過。)
        3.6.2.2 低溫實驗
        試驗條件:-20℃
        測試要求:
        1)?須符合3.1節中各器件電性能要求
        2)恢復常溫后,取出,檢查器件外觀是否符合要求(外表面是否有變色或脫漆現象,此外若出現脆化、結冰、開裂、粘度增大和固化、機械強度降低、物理性收縮、絕緣損壞、密封失效等肉眼可識別的物理損壞也判定為不通過。)
        3.6.2.3 振動實驗
        試驗溫度:室溫;
        振動頻率:10-30、30-55Hz;
        掃頻速率:系統默認;
        振幅峰峰值:1.5mm、0.75mm;
        振動方向:XYZ軸;
        振動時間:XYZ軸每個方向0.5h。
        測試要求:
        1)?結束振動后,取出,檢查器件表面和內部是否有配件掉落
        2)?進行典型測試,須符合3.1節中各器件要求
        3.6.2.4 恒定濕熱(可選)
        (按照實際需求測試或請供應方提供每批次檢測報告)
        3.6.2.5 鹽霧(可選)
        (按照實際需求測試或請供應方提供每批次檢測報告)
        4.?編制歷史
        版本號?更新時間?主要內容或重大修改
        1.0.0?2011年9月5日?在10年采購規范及2007年行標的基礎上修訂出11年初稿。
        針對互調和功率容量等指標進行了修訂,對不同功率節點上使用的器件進行了分別的指標定義,并添加了工藝檢測及環境測試等內容。

         

         

         

         

         

         

         

         

         

        范圍

        本標準規定了無源器件的技術要求,供中國移動和廠商共同使用。適用于為中國移動通信有限公司室分系統所提供的各類功分器、耦合器、電橋、合路器、衰減器和負載研發、生產、出廠驗收和入網測試的技術規定,其他同類產品也可遵照該規范的要求執行。

        1.?? 規范性引用文件

        下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本標準。

        2.?? 術語、定義和縮略語

        下列術語、定義和縮略語適用于本標準。

        2.1.???? 術語

        插入損耗 Insertion loss:通過無源器件,在有效工作帶寬內引入的傳輸損耗。

        中心頻率 Center frequency:無源器件的工作發射支路(或接收支路)允許工作頻率范圍內的中心稱為發射支路(或接收支路)的中心頻率。

        駐波比 VSWR:無源器件或有源器件中,除信源的輸入端(或輸出端)以外的其他端口與標稱阻抗負載相連接,信源的輸入端(或輸出端)電壓的波峰和波谷的比值

        帶內波動(紋波)Inband Ripple:輸出端口通帶范圍內最大信號和最小信號的差值。

        標稱阻抗 Impedance:RF 射頻無源及有源器件在工作范圍內各端口規定的電阻性阻抗。

        耦合度 Coupling degree耦合支路與通路信號強度的差值。

        幅度平衡Amplitude Balance:等分定義端口之間的插入損耗的差值,用dB 表示。

        抑制度 Suppression:合路器的收發支路之間信號進入的抑制程度。

        最大輸入功率 Maximum input power:無源器件正常工作時輸入端口所允許的最大輸入平均功率。

        峰值輸入功率Peak-peak input power:無源器件正常工作時發射端口所允許的最大峰值輸入功率。

        2.2.???? 定義

        功分器Power Distributer將功率平均分配到各個分路上去的無源器件,具有一個輸入和兩個或多個輸出端口,用于分布系統鏈路分支時的節點連接。

        耦合器(Coupler)從射頻通路中通過耦合將一部分信號取出的無源器件,是帶有不同耦合衰減量值的分路器,用于分布系統延伸鏈路中接至覆蓋天線輸出節點的連接器件,該類器件的耦合度量值是由耦合出口接至天線輻射輸出的額定覆蓋功率電平所決定選擇。

        3dB電橋(3dB Hybrid)3dB電橋也叫同頻合路器,它能夠沿傳輸線路某一確定方向上對傳輸功率連續取樣,能將一個輸入信號分為兩個互為等幅且具有90°相位差的信號。主要用于多信號合路,提高輸出信號的利用率,廣泛應用室內覆蓋系統中對基站信號的合路,在這種場所運用效果很好。

        合路器(Combiner):把兩路或多路功率信號合并到單個通路上去的無源器件,具有兩個或多個輸入和一個輸出端口。

        衰減器(Attenuator):具有不同的衰減量值無源器件,用于分布系統延伸鏈路尾端與天線輻射輸出的額定覆蓋功率電平的適配。

        負載(Load):用于分布系統延伸鏈路中的分支節點或檢測點口的終接。

        2.3.???? 縮略語

        詞語???????? 解釋

        CW???????? continuous wave 連續波

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

        3.?? 技術要求

        3.1電氣性能要求

        3.1.1腔體功分器

        隨著現網對室分器件功率承受能力需求越來越大,很多場景下,微帶功分器已不能滿足要求,近年來業界用腔體功分器取代微帶功分器的趨勢也越來越明顯。所以本次企標中將室分無源器件的功分器全部定義為腔體功分器。

        根據分布系統的節點支路的要求,又分為腔體二功分器、腔體三功分器和腔體四功分器,其指標要求如表1所示:

        表1? 腔體功分器常溫電性能指標

        腔體功分器常溫電性能指標
        指標\規格 二功分器 三功分器 四功分器
        工作頻段 800-2500MHz
        總插入損耗(分配損耗+插入損耗)/dB ≤3.3 ≤5.2 ≤6.5
        輸入端口駐波比 ≤1.25 ≤1.25 ≤1.3
        帶內波動(峰峰值)/dB ≤0.3 ≤0.45 ≤0.55
        輸入口反射互調抑制 單系統總功率36dBm及以上 三階 ≤-140dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭) 三階 ≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量 單系統總功率36dBm及以上 均值功率 ≥200W1(4×50W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭) 均值功率 ≥200W2(1×200W EDGE載波,GSM900下行頻段)

        注:

        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;

        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。

        3.1.2腔體定向耦合器

        隨著現網對室分器件功率承受能力需求越來越大,很多場景下,微帶器件已不能滿足要求,近年來業界用腔體耦合器取代微帶耦合器的趨勢也越來越明顯。所以本次企標中將室分無源器件的耦合器全部定義為腔體定向耦合器。

         

        表2耦合器常溫電性能指標

        耦合器常溫電性能指標
        指標\耦合度規格 5dB 6dB 7dB 10dB 15dB 20dB 30dB 40dB
        工作頻段 800-2500MHz
        總插入損耗(含分配損耗)/dB 2.15 1.76 1.47 0.96 0.44 0.34 0.3 0.3
        隔離度 ≥23 ≥24 ≥25 ≥28 ≥33 ≥38 ≥48 ≥55
        耦合度偏差/dB ±0.6 ±0.6 ±0.6 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1.5
        駐波比 1.25
        輸入口反射互調抑制 單系統總功率36dBm及以上 三階 ≤-140dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下

        (N型頭)

        三階 ≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量 單系統總功率36dBm及以上 均值功率 ≥200W1(4×50W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        單系統總功率36dBm以下

        (N型頭)

        均值功率 ≥200W2(1×200W EDGE載波,GSM900下行頻段)

        注:

        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;

        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。

        3.1.3腔體3dB電橋

        隨著現網對室分器件功率承受能力需求越來越大,很多場景下,微帶器件已不能滿足要求,近年來業界用腔體電橋取代微帶電橋的趨勢也越來越明顯。所以本次企標中將室分無源器件的3dB電橋全部定義為腔體3dB電橋。

         

        表3腔體3dB電橋常溫電性能指標

        腔體3dB電橋常溫電性能指標
        指標\規格 3dB電橋
        工作頻段 800-2500MHz
        插入損耗(含分配損耗)/dB ≤3.5
        駐波比 ≤1.3
        隔離度/dB ≥23
        帶內波動(峰峰值)/dB ≤0.5
        反射互調抑制 單系統總功率36dBm及以上 三階 ≤-140dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭) 三階 ≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量 單系統總功率36dBm及以上 均值功率 ≥200W1(4×50W EDGE載波,GSM900下行頻段)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭) 均值功率 ≥200W2(1×200W EDGE載波,GSM900下行頻段)

        注:

        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;

        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。

        3.1.4合路器

        表4 合路器類型1-4

        合路器常溫電性能指標
        指標\規格 GSM/DCS合路器(雙路) GSM/WLAN合路器(雙路) GSM&DCS/WLAN合路器(雙路) WLAN ch1/WLAN ch11合路器
        工作頻段 通路1:889-954MHz 通路2:

        1710-1830MHz

        通路1:889-954MHz 通路2:

        2400-2483.5MHz

        通路1:889-954MHz?? 1710-1830MHz 通路2:

        2400-2483.5MHz

        通路1:2401-?? 2423MHz 通路2:

        2451-2473MHz

        插入損耗/dB ≤0.6 ≤0.6 ≤0.6 ≤1.2
        駐波比 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3
        帶內波動(峰峰值)/dB ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5 ≤0.8
        帶外抑制/dB 通路1:≥80 通路2:≥80 通路1:≥80 通路2:≥80 通路1:≥80 通路2:≥80 通路1:≥80 通路2:≥80
        輸入端口反射互調抑制 單系統總功率36dBm及以上 三階 ≤-140dBc(+43dBm×2) 不作要求
        五階 ≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭) 三階 ≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量 單系統總功率36dBm及以上 均值功率 ≥200W1(4×50W EDGE載波,GSM900端口) 不作要求
        單系統總功率36dBm以下(N型頭) 均值功率 ≥200W2(1×200W EDGE載波,GSM900端口)

        注:

        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;

        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。

         

        表5 合路器類型5-8

        合路器常溫電性能指標
        指標\規格 GSM&DCS/TD F&TD A&TD E合路器(雙路) GSM/DCS/TD F&TD A&TD E合路器(三路) GSM&DCS/TD F&TD A/TD E合路器(三路) GSM&DCS&TD F&TD A&TD E/WLAN合路器(雙路)
        工作頻段 通路1:889-954MHz

        1710-1830MHz 通路2:

        1880-2025MHz

        2300~2400MHz

        通路1:889-954MHz 通路2:

        1710-1830MHz

        通道3:

        1880-2025MHz

        2300~2400MHz

        通路1:889-954MHz????? 1710-1830MHz

        通道2:

        1880-2025MHz 通路3:

        2300-2400MHz

        通路1:889-954MHz????? 1710-2025MHz

        2300-2380MHz 通路2:

        2400-2500MHz

        插入損耗/dB ≤0.6 ≤0.6 ≤0.8 ≤0.6(889-2025MHz);≤1.5(2300-2500MHz)
        駐波比 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3 ≤1.3
        帶內波動(峰峰值)/dB ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5(889-2025MHz) ;?????? ≤1.2(2300-2500MHz)
        帶外抑制/dB 通路1:≥80 通路2:≥80 通路1:≥80 通路2:≥80 通路1:≥80 通路2:≥80 通路1:≥80 通路2:≥90(WLAN通路對其它頻段的抑制值)
        輸入端口反射互調抑制 單系統總功率36dBm及以上 三階 ≤-140dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-155dBc(+43dBm×2)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭) 三階 ≤-120dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-145dBc(+43dBm×2)
        功率容量 單系統總功率36dBm及以上 均值功率 ≥200W1(4×50W EDGE載波,GSM900端口)
        單系統總功率36dBm以下(N型頭) 均值功率 ≥200W2(1×200W EDGE載波,GSM900端口)

        注:

        1、此類使用在單系統總功率36dBm及以上的器件功率容量測試,采用4×50W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍約為1-1.3KW;

        2、此類使用在單系統總功率36dBm以下的器件功率容量測試,采用 1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率約為400W。

        3.1.5衰減器

        表6 ?50W、100W、200W衰減器1

        衰減器常溫電性能指標
        功率等級 50W、100W、200W
        衰減度規格 3dB 6dB 10dB 15dB 20dB 30dB
        工作頻段 800-3000MHz
        衰減度誤差/dB ±0.4 ±0.4 ±0.6 ±0.6 ±0.8 ±0.8
        帶內波動(峰峰值)/dB ≤0.3 ≤0.5 ≤0.7 ≤0.8 ≤1.0 ≤1.0
        駐波比 ≤1.2
        輸入口反射互調抑制 三階 ≤-105dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-120dBc(+43dBm×2)
        功率容量 均值功率 50W、100W、200W2(1×標稱功率EDGE載波,GSM900頻段)

        注:

        1、此類器件建議使用在對于互調指標要求不高的特殊場景下;

        2、此類器件功率容量測試,采用:

        1×50W EDGE載波,均值功率為50W,峰值功率范圍為100W

        1×100W EDGE載波,均值功率為100W,峰值功率范圍為200W

        1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍為400W

        表7 ?5W、25W衰減器

        衰減器常溫電性能指標
        功率等級 5W、25W
        衰減度規格 3dB 6dB 10dB 15dB 20dB 30dB
        工作頻段 800-3000MHz
        衰減度誤差/dB ±0.4 ±0.4 ±0.6 ±0.6 ±0.8 ±0.8
        帶內波動(峰峰值)/dB ≤0.3 ≤0.5 ≤0.7 ≤0.8 ≤1.0 ≤1.0
        駐波比 1.2
        反射互調 三階 ≤-125dBc(+33dBm×2)
        五階 ≤-145dBc(+33dBm×2)
        功率容量 均值功率 5W、25W1(1×標稱功率 EDGE載波,GSM900頻段)·

        注:

        1、此類器件建議使用在單系統總功率33dBm以下的應用場景,功率容量測試,采用:

        1×5W EDGE載波,均值功率為5W,峰值功率范圍為10W

        1×25W EDGE載波,均值功率為25W,峰值功率范圍為50W

        3.1.6負載

        表8 ?50W、100W、200W負載1

        負載常溫電性能指標
        功率規格 50W、100W、200W
        工作頻段 800-3000MHz
        特性阻抗/歐姆 50
        駐波比 1.2
        反射互調抑制 三階 ≤-105dBc(+43dBm×2)
        五階 ≤-120dBc(+43dBm×2)
        功率容量 均值功率 50W、100W、200W2(1×標稱功率 EDGE載波,GSM900頻段)

        注:

        1、此類器件建議使用在對于互調指標要求不高的特殊場景下;

        2、此類器件功率容量測試,采用:

        1×50W EDGE載波,均值功率為50W,峰值功率范圍為100W

        1×100W EDGE載波,均值功率為100W,峰值功率范圍為200W

        1×200W EDGE載波,均值功率為200W,峰值功率范圍為400W

        表9? 負載 5W/25W

        負載常溫電性能指標
        指標\功率規格 5W、25W
        工作頻段 800-3000MHz
        特性阻抗/歐姆 50
        駐波比 1.2
        反射互調 三階 ≤-125dBc(+33dBm×2)
        五階 ≤-145dBc(+33dBm×2)
        功率容量 均值功率 5W、25W1(1×標稱功率 EDGE載波,GSM900頻段)

        注:

        1、此類器件建議使用在單系統總功率33dBm以下的應用場景,功率容量測試,采用:

        1×5W EDGE載波,均值功率為5W,峰值功率范圍為10W

        1×25W EDGE載波,均值功率為25W,峰值功率范圍為50W

        3.2平均故障間隔時間(MTBF)

        室溫條件下MTBF應大于10萬小時。

        3.3?機械要求

        提供的產品應采用經過老化測試和嚴格篩選的優質器件。硬件的組裝過程應有嚴格的質量控制,確保長期使用的高穩定性和高可靠性。

        3.4?器件標簽要求

        器件外殼顯著位置必須具有標簽或銘牌,其上必須標明:廠家名稱、產品類別、產品型號、生產日期、規格(含工作頻段、耦合度、衰減器衰減值、單系統總功率36dBm及以上型/單系統總功率36dBm以下型)等。標簽或銘牌須考慮長期使用可靠性,不得損壞或脫落。

        單系統總功率36dBm及以上型器件,標簽采用黑底白字,并標明“單系統總功率36dBm以上型”字樣。

        單系統總功率36dBm以下器件,標簽采用白底黑字,并標明“單系統總功率36dBm以下型”字樣。

        負載和衰減器全部采用白底黑字標簽。

        合路器須在各輸入口除了標識頻段名稱(如:GSM)之外,還需要標明該端口通帶起止頻率(如:889-954MHz)。

        電橋須將IN和OUT口標識明顯,安裝、使用時不得損壞、脫落。

        模板實例如下(條目齊全即可,格式不限)。

        表10 標簽實例

        條目 舉例
        廠家名稱 ×××
        產品類別 耦合器
        產品型號 ×××-×××
        序列號 ××××××
        生產日期 2011年×月
        規格 800-2500MHz30dB耦合

        單系統總功率36dBm及以上型

        3.5工藝和材料要求

        注:

        1.合路器作為多系統信源合路的重要節點,除了對產品的性能指標有要求外,還對其長期可靠性和使用壽命有較高要求,因此各款合路器的工藝和材料要求均按高品質型統一要求。

        2. 衰減器和負載由于目前行業水平未具備實現高品質型產品的批量生產能力,也無法提出對應的工藝和材料要求,因此3.5.3節僅按目前業界最優方案對普通型產品進行要求。

        3.5.1? 腔體功分器、腔體定向耦合器、腔體電橋

        表11(單系統總功率36dBm以下型)腔體功分器、耦合器、腔體電橋工藝材料要求

        產品 材料 表面處理 工藝要求 接頭 其它
        腔體功分器 腔體、內導體采用金屬材質 內導體內表面需做表面處理(電鍍或者導電氧化) 表面光潔無毛刺 Female接頭外導體不可采用鋁材和鋅合金;內導體采用鈹青銅或磷青銅,需鍍銀。
        耦合器 內導體采用金屬材質;腔體與蓋板不可采用削切鋼材質(下圖為削切鋼材質,不可采用類似工藝設計) 內導體內表面需做表面處理(電鍍或者導電氧化) 表面光潔無毛刺,結構件緊固連接 不可采用貼片電阻
        腔體電橋 內導體空氣導帶采用金屬材質;腔體、蓋板采用金屬材質。 內導體需做電鍍處理 表面光潔無毛刺,結構件緊固連接 結構要求:輸入端口在同側,輸出端口在同側

        ?

        表12(單系統總功率36dBm及以上型)腔體功分器、耦合器、腔體電橋工藝材料要求

        產品 材料 表面處理 工藝要求 接頭 其它
        腔體功分器 內導體采用黃銅或鋁合金;腔體采用鋁合金。 內導體與腔體內表面先鍍銅后鍍銀 表面光潔無毛刺,結構件緊固連接 Female接頭外導體采用黃銅,鍍三元合金;內導體采用鈹青銅或磷青銅,需鍍銀。
        耦合器 內導體采用黃銅或鋁合金;腔體采用鋁合金;

        蓋板采用鋁合金。

        內導體與腔體內表面先鍍銅后鍍銀 表面光潔無毛刺,結構件緊固連接,焊點光亮整潔 大功率厚膜陶瓷電阻
        腔體電橋 內導體空氣導帶采用黃銅或鋁合金;腔體采用鋁合金;

        蓋板采用鋁合金。

        內導體與腔體內表面先鍍銅后鍍銀 表面光潔無毛刺,結構件緊固連接,焊點光亮整潔 結構要求:輸入端口在同側,輸出端口在同側
        整體結構要求 1、功分器、耦合器、電橋整體結構要求密閉性程度高,腔體整體無縫隙,內導體及腔體內表面不受空氣氧化;2、接頭法蘭盤螺釘要求固定在腔體的同一結構件中(優選)1

        注:1、優選項作為推薦的優選方式,不作為硬性要求。

        3.5.2? 合路器

        表13(單系統總功率36dBm以下型)合路器工藝材料要求

        部件 材料 表面處理 工藝要求 備注
        腔體 腔體采用鋁合金 內導體內表面需做表面處理(電鍍或者導電氧化) 表面光潔無毛刺,無裂痕
        蓋板 蓋板采用鋁合金 內導體內表面需做表面處理(電鍍或者導電氧化) 表面光潔無毛刺,無裂痕
        諧振柱 諧振柱材料采用黃銅或鋁合金(如進行溫度補償采用其它材料需滿足可靠性及壽命要求) 表面先鍍銅后鍍銀 表面光潔無毛刺,與腔體連接穩固
        調諧桿 調諧桿采用黃銅 鍍銀 表面光潔無毛刺
        端口抽頭 連接導線采用黃銅 鍍銀 連接導線表面無光潔,整形彎曲規整,無亂搭
        接頭 如接頭為Female形式:外導體采用黃銅(接頭與合路器腔體一體化設計的情況除外);內導體采用鈹青銅或磷青銅 外導體鍍三元合金;內導體鍍銀 外導體受力穩固,內導體受力不轉動

        ?

        ?

        表14(單系統總功率36dBm及以上型)合路器工藝材料要求

        部件 材料 表面處理 工藝要求 備注
        腔體 腔體采用鋁合金 內表面先鍍銅后鍍銀 表面光潔無毛刺,無裂痕
        蓋板 蓋板采用鋁合金 內表面先鍍銅后鍍銀 表面光潔無毛刺,無裂痕
        諧振柱 諧振柱材料采用黃銅或鋁合金(優選)(如進行溫度補償采用其它材料需滿足可靠性及壽命要求) 表面先鍍銅后鍍銀 表面光潔無毛刺,與腔體連接穩固,與蓋板間距離>1.0mm(優選)1
        調諧桿 調諧桿采用黃銅 鍍銀 表面光潔無毛刺,與其它結構件間距離>3.0mm (優選)1
        端口抽頭 連接導線采用黃銅 鍍銀 連接導線表面無光潔,整形彎曲規整,無亂搭,與腔體表面間距離>1.5mm (優選)1
        接頭 如接頭為Female形式:外導體采用黃銅(接頭與合路器腔體一體化設計的情況除外);內導體采用鈹青銅或磷青銅 外導體鍍三元合金;內導體鍍銀 外導體受力穩固,內導體受力不轉動

        注:1、優選項作為推薦的優選方式,不作為硬性要求。

        3.5.3 ?衰減器、負載

        表15衰減器、負載工藝材料要求

        部件 材料 表面處理 工藝要求 備注
        散熱器 鋁合金 如帶有散熱器,則需進行表面防腐處理,建議導電氧化 表面光潔無毛刺,結構件連接穩固
        內置安裝管 鋁合金 先鍍銅后鍍銀 結構件連接穩固,接地良好
        衰減片/吸收負載 氧化鈹 結構件連接穩固,散熱接地良好
        接頭 如接頭為Female形式:外導體采用黃銅;內導體采用鈹青銅或磷青銅 外導體鍍三元合金;內導體鍍銀 外導體受力穩固,內導體受力不轉動

        3.5.4? 簡易檢測方法(到貨檢測)

        項目 檢測方法
        材料 1、通過對內導體進行用砂紙進行摩擦,若粉末為黃色為黃銅,白色為鋁材或合金;2、PCB微帶板和腔體的設計方案可直接通過觀察判別。

        微帶電橋???????????????? 腔體電橋

        表面處理 1、銅材可以直接在表面進行鍍銀;2、鋁合金材質則需要先在表面進行鍍銅后才可以鍍銀處理;

        3、鍍銀表面呈銀白色,鍍銅表面呈黃色,不做任何電鍍處理的為金屬原色。

        工藝要求 1、表面工藝明顯毛刺點等可以通過觀察判斷,另可以選工藝優秀樣品做為基準對比;2、焊點光亮、整潔、無虛焊,無松香殘留。
        接頭 1、接頭外導體材質可以通過砂紙等進行摩擦,若粉末為黃色為黃銅,白色為鋁材或合金;2、內導體插拔次數滿足200次后,電氣性能指標依然合格。
        其它 1、厚膜陶瓷電阻與貼片電阻有明顯區別,可以肉眼判斷。貼片電阻??????????????? 厚膜陶瓷電阻

        3.6?環境試驗要求

        3.6.1環境適應性要求

        環境條件

        工作溫度:-20~55 ℃

        工作濕度≤95%(溫度40℃±2℃)

        大氣壓力:70~106kPa

        儲存溫度:-55℃ to +85℃

         

        3.6.2環境測試項

        常溫下的目檢及電性能測試正常的器件,進行環境測試。不同的器件在環境實驗時,進行不同電性能指標的測試,具體見下表:

        表16? 無源器件高低溫試驗檢測項目

        器件名稱 高低溫試驗檢測項目
        在線測試 中間測試 恢復常溫后測試
        腔體功分器 插損、駐波比 互調 外觀檢查
        腔體定向耦合器 插損、駐波比 互調 外觀檢查
        腔體3dB電橋 插損、駐波比 互調 外觀檢查
        合路器 插損、駐波比、帶內波動、帶外衰減 互調 外觀檢查
        衰減器 衰減誤差、駐波比 互調 外觀檢查
        負載 駐波比 互調 外觀檢查

        注:中間測試是指僅僅將單獨器件進行環境試驗,不連接測試系統,環境試驗完成后快速將器件取出,連接測試系統進行測試。

         

        表17? 無源器件振動試驗檢測項目

        器件名稱 完成振動后測試項目
        腔體功分器 外觀檢查、插損、駐波比、互調
        腔體定向耦合器 外觀檢查、插損、駐波比、互調
        腔體3dB電橋 外觀檢查、插損、駐波比、互調
        合路器 外觀檢查、插損、駐波比、帶內波動、帶外衰減、互調
        衰減器 外觀檢查、衰減誤差、駐波比、互調
        負載 外觀檢查、駐波比、互調

         

        3.6.2.1 高溫實驗

        試驗條件:+55℃

        測試要求:

        1)須符合3.1節中各器件電性能要求

        2)恢復常溫后,取出,檢查器件外觀是否符合要求(外表面是否有變色或脫漆現象,此外若出現脆化、開裂、粘度增大和固化、機械強度降低、物理性收縮、絕緣損壞、密封失效等肉眼可識別的物理損壞也判定為不通過。)

        3.6.2.2 低溫實驗

        試驗條件:-20℃

        測試要求:

        1)須符合3.1節中各器件電性能要求

        2)恢復常溫后,取出,檢查器件外觀是否符合要求(外表面是否有變色或脫漆現象,此外若出現脆化、結冰、開裂、粘度增大和固化、機械強度降低、物理性收縮、絕緣損壞、密封失效等肉眼可識別的物理損壞也判定為不通過。)

        3.6.2.3 振動實驗

        試驗溫度:室溫;

        振動頻率:10-30、30-55Hz;

        掃頻速率:系統默認;

        振幅峰峰值:1.5mm、0.75mm;

        振動方向:XYZ軸;

        振動時間:XYZ軸每個方向0.5h。

        測試要求:

        1)結束振動后,取出,檢查器件表面和內部是否有配件掉落

        2)進行典型測試,須符合3.1節中各器件要求

        3.6.2.4 恒定濕熱(可選)

        (按照實際需求測試或請供應方提供每批次檢測報告)

        3.6.2.5 鹽霧(可選)

        (按照實際需求測試或請供應方提供每批次檢測報告)

        4.?? 編制歷史

        版本號 更新時間 主要內容或重大修改
        1.0.0 2011年9月5日 在10年采購規范及2007年行標的基礎上修訂出11年初稿。針對互調和功率容量等指標進行了修訂,對不同功率節點上使用的器件進行了分別的指標定義,并添加了工藝檢測及環境測試等內容。

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

        附錄? 無源器件指標分級標準

        指標名稱 設備分類
        腔體功分器 耦合器 3dB電橋 合路器 衰減器 負載
        插損 A A A A / /
        駐波比 A A A A A A
        帶內波動 B / B B B /
        耦合度偏差 / A / / / /
        隔離度 / A A / / /
        帶外抑制 / / / A / /
        衰減度誤差 / / / / B /
        三階互調 A A A A A A
        五階互調 A A A A A A
        功率容量 A A A A A A
        高溫測試 B B B B B B
        低溫測試 B B B B B B
        振動測試 B B B B B B
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        設備合格判定標準建議
        A: 關鍵指標 有一個A類指標不通過,判定為不合格
        B:重要指標 有兩個B類指標不通過,判定為不合格

         

        設備合格判定標準建議
        A: 關鍵指標?有一個A類指標不通過,判定為不合格
        B:重要指標?有兩個B類指標不通過,判定為不合格

         

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