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        微波暗室一般技術指標

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        微波暗室一般技術指標

        1. 微波暗室參數

        微波暗室的電性能指標主要由靜區的特征來表征。靜區的特性又以靜區的大小、靜區內的最大反射電平、交叉極化度、場均勻性、路徑損耗、固有雷達截面、工作頻率范圍等指標來描述。

        影響微波暗室性能指標的因素是多元化的,也是很復雜的。在利用光線發射法和能量物理法對暗室性能進行仿真計算時,需要考慮電波的傳輸去耦,極化去耦,標準天線的方向圖因素,吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能,多次反射等影響。但在實際的工程設計過程中,往往以吸波材料的性能作為暗室性能的關鍵決定因素。

        1)交叉極化度:由于暗室結構的不嚴格對稱、吸波材料對各種極化波吸收的不一致性以及暗室測試系統等因素使電波在暗室傳播過程中產生極化不純的現象。如果待測試天線與發射天線的極化面正交和平行時,所測試場強之比小于-25dB,就認為交叉極化度滿足要求。

        2)多路徑損耗:路徑損耗不均勻會使電磁波的極化面旋轉,如果以來波方向旋轉待測試天線,接收信號的起伏不超過±0.25dB,就可忽略多路徑損耗。

        3)場均勻性:在暗室靜區,沿軸移動待測試天線,要求起伏不超±2dB;在靜區的截面上,橫向和上下移動待測天線,要求接收信號起伏不超過±0.25dB。

        1. 天線測量的誤差

        1)有限測試距離所引起的誤差。

        設待測的是平面天線,接收的來波沿其主波束的軸向。若測試距離大小,由待測天線之不同部位所接受的場不能相同,因此具有平方根律相位差。若待測天線恰位于源天線遠場區的邊界2D2/λ,其口徑邊緣與相位中心的場存在22.5度的相位差.若測試距離加倍,在相位差減半。

        對于測量中等旁瓣電平的天線,距離2D2/λ通常已經足夠,測出的增益約偏小0.06dB。測試距離縮短會使測量誤差迅速增大,旁瓣會與主波束合并成肩臺式,甚至合為一體。通常0.25dB的錐銷使測出的增益降低約為0.1dB,并造成近旁瓣的些許誤差。

        2)反射。

        直射波受從周圍物體反射的干涉,在測試區域形成場的變化,由于該波波程差作為位置的函數而迅速變化,使起伏的長度屬于波長的數量級。例如比直射波低20dB的反射波,可引起-0.92~+0.83dB的功率誤差,具體取決于兩種之間的差異;相位測量的誤差范圍為±5.7°,但若反射波的場比直射波低40dB,則側出的幅度與相位分別僅有±0.09與±0.6°的誤差。

        反射在低旁瓣的測量中特別有害。一項很小的反射通過主瓣耦合到待測天線,可以完全掩蓋住耦合到旁瓣的直射波。如果相耦合的直射和反射波強度相等,則測出的旁瓣電平會抬高6dB左右,或者在測得的波瓣圖中成為零點。

        3)其他誤差。

        還可能導致天線測量產生誤差的因素有:低頻時與電抗近場的耦合可能比較顯著;測量天線的對準誤差;其他干擾信號;測試電纜所引起的誤差等。

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